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真空镀膜法是在真空的条件下，将金属和非金属材料加热，当温度超过其沸点时，被加热物以气态急剧蒸发，以直线向四周喷射;当遇到障碍物时即附着积淀于物体表面，形成一层薄膜，从而改善材料的性能和外观，这种工艺技术被广泛应用于多个行业，包括航天航空、半导体、新能源、汽车、手机、新型显示、电子元器件、光通讯、轨道交通等。

真空镀膜技术涉及多种工艺，如磁控溅射、离子镀、热蒸发等。这些工艺对气体流量的要求各不相同，有的需要高流量，有的需要低流量，有的则需要精确控制多种气体的混合比例。惭贵颁气体质量流量控制器具有广泛的调节范围和高精度的控制能力，能够满足不同工艺对气体流量的多样化需求。

在真空镀膜过程中，需要由气体质量流量控制器来控制各种工艺气体的稳定流量，比如0/狈贬/厂颈贬，包括一些惰性气体如础谤、惭等。气体(比如狈)从气瓶中经过调压阀们，可调节气体压力为50词300办笔补，经过自动阀门和惭贵颁,可直接通入真空反应腔室中。

液体蒸汽的 MFC 控制过程

MEC有时需要控制一些由液态转化为气态的气体。如在镀膜时有时需要的原料为液体，如六甲基硅氧烷(HMDS0)，其沸点为 100℃，常温下为液体。对于此类由液体转化为气体的原料，需要解决两个重要问题:ME℃的系统温度、工作压差。

惭贵颁的系统温度控制。

如上图所示，在真空镀膜过程中，一般该系统有两种工作状态:

一是加原料液体，首先打开自动阀门1和自动阀门3,关闭自动阀门2和手阀1，将原料罐内抽成一定负压状态，然后将自动阀门1和自动阀门3关闭，缓缓打开手阀1,即可通过管路汲取原料进入原料罐内;二是正常气体供给，关闭手阀1、自动阀3，打开自动阀1和自动阀 2。为保障气体有一定的恒定蒸汽压力，则需将原料罐进行升温，同时将管路以及 MFC等升温至一定温度，需要注意的是，为防止气体结露堵塞MFC，随着气路的流动，气路所经过位置的温度应逐渐升高，即管路的温度一般高于原料罐的温度。另一方面，普通的MFC工作温度一般低于50℃，那么此时的MEC应选用耐高温MFC，即MFC-HT型号。需要在工作压差范围内工作如上图所示控制系统中，HMDS0的加热罐内形成一个密闭空间，在使用前

首先进行抽真空除去了杂质气体，那么在一定的温度下，HMDS0 液体与蒸汽会处于相对平衡的状态下，即形成饱和蒸汽压，同一物质在不同温度下有不同的饱和蒸气压，并且饱和蒸汽压会随着温度的升高而增大。因为MFC另一端为真空腔室，压力可忽略，那么MFC此时的前后压差即头HMDS0 在此温度下的饱和蒸汽压。

因 HMDS0 也为易燃易爆的化学物质，80℃对于原料气体和 MFC都有不小的安全隐患和质量隐患，原料液的温度越低，后边的气路和 MFC内越不容易结露，而20℃时4kPa的工作压差对于厂家来说很难达到。所以50~60℃为比较合理的控温范围。

由上边的介绍我们了解到MFC的工作压差为50~300kPa，而在50℃时，HMDS0的饱和蒸气压为17.42kPa,比 50kPa要小，那么就无法满足 MFC正常工作的条件，需要在订货时跟厂家提出要求，将MFC选择耐腐蚀材料。在采用金属接触材质时，MFC适用更大范围的气体，包括各种腐蚀性气体和特种气体。金属材质可以应用于特殊场合或者精度、耐腐蚀要求高的场合。而在要求不是很高的一般场合，可以应用橡胶材质，如氟橡胶，可以用于大多数酸性和碱性等腐蚀性气体。

MEC 在半导体行业中具有广泛的应用，因为它的优势在真空镀膜过程中也有难以替代的作用，MFC本身属于精密仪器且价格比较昂贵，在使用过程中应注意MFC系统温度、工作压差、抗腐蚀性和密封性要求，以便更好的掌握其使用方法。